1. 1N4750A
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厂商型号

1N4750A 

产品描述

Diode Zener Single 27V 5% 1W 2-Pin DO-41 Bulk

内部编号

3-1N4750A

#1

数量:394711
1+¥0.3082
25+¥0.2311
100+¥0.2311
500+¥0.2311
1000+¥0.2311
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#2

数量:394711
1+¥0.3082
25+¥0.2311
100+¥0.2311
500+¥0.2311
1000+¥0.2311
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#3

数量:4293
1+¥1.5043
10+¥1.0257
100+¥0.4308
1000+¥0.294
2000+¥0.2256
10000+¥0.1915
25000+¥0.1846
50000+¥0.1709
100000+¥0.1504
最小起订量:1
美国加州
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订购说明

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1N4750A产品详细规格

规格书 1N4750A datasheet 规格书
1N4750A datasheet 规格书
1N4728A - 58A
1N4750A datasheet 规格书
1N4750A datasheet 规格书
Current - Reverse Leakage @ Vr 5µA @ 20.6V
Impedance (Max) (Zzt) 35 Ohm
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65°C ~ 200°C
Package / Case DO-204AL, DO-41, Axial
Power - Max 1W
Supplier Device Package DO-41
Tolerance ±5%
Voltage - Zener (Nom) (Vz) 27V
包装 2DO-41
配置 Single
标称齐纳电压 27 V
齐纳电压容差 5 %
最大功率耗散 1000 mW
最大反向漏泄电流 5 uA
工作温度 -65 to 200 °C
安装 Through Hole
标准包装 Bulk
供应商封装形式 DO-41
标准包装名称 DO-204-AL
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 200
最大齐纳阻抗 35
最大反向漏泄电流 5
Package Diameter 2.72(Max)
ESD保护 No
封装 Bulk
标称齐纳电压 27
最大功率耗散 1000
PCB 2
包装长度 5.21(Max)
最低工作温度 -65
测试电流 9.5
引脚数 2
铅形状 Through Hole
电流 - Vr时反向漏电 5µA @ 20.6V
电压 - 齐纳(额定值)(Vz ) 27V
供应商设备封装 DO-41
功率 - 最大 1W
阻抗(最大值)(Zzt ) 35 Ohm
安装类型 Through Hole
容差 ±5%
封装/外壳 DO-204AL, DO-41, Axial
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 1000
产品种类 Zener Diodes
齐纳电流 9.5 mA
齐纳电压 27 V
最大齐纳阻抗 35 Ohms
系列 1N4750A
单位重量 0.008642 oz
电压容差 5 %
功率耗散 1 W
安装风格 Through Hole
封装/外壳 DO-41
零件号别名 1N4750A_NL
最高工作温度 + 200 C
最低工作温度 - 65 C
RoHS RoHS Compliant By Exemption
工作温度范围 -65C to 200C
包装类型 DO-41
冯页次 0.005 mA
工作温度分类 Military
弧度硬化 No
拐点阻抗 35Ohm
齐纳电压(典型值) 27V
齐纳测试电流 9.5mA
删除 Compliant
直径 2.72 mm
产品 Zener Diode
测试电流 9.5 mA
品牌 Fairchild Semiconductor
Zz - Zener Impedance 35 Ohms
端接类型 Axial
Pd - Power Dissipation 1 W
长度 5.2 mm
Ir - Reverse Current 5 uA
Vz - Zener Voltage 27 V
associated 1N4750A
80-4-5
3613

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